JN江南·体育网页版-北航大与微电子所成功制备国内首个80纳米磁随机存储器芯片器件

近日，北京航空航天大学与微电子所牵头顺利制取国内首个80纳米磁矩移往矩——磁随机存储器芯片（STT－MRAM）器件。STT－MRAM是一种极具应用于潜力的下一代新型存储器解决方案。由于使用了大量的新材料、新的结构，加工制取可玩性很大。

当前，美韩日三国在该项技术上全面领先，很有可能在时隔硬盘、DRAM及存储器等存储芯片之后再度构建对我国100％的独占。微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的牵头团队通过3年的艰难研制成功，在STT－MRAM关键工艺技术研究上构建了最重要突破，在国内首次使用可相容CMOS工艺顺利制取出有直径80nm磁隧道结，器件性能较好，其中器件核心参数还包括隧穿着磁阻效应超过92％，可实现显电流旋转且电流密度超过国际领先水平。

在北京市科委的大力支持下，该工作几乎使用了可相容传统CMOS集成电路的工艺方法和流程，不具备向产品化、产业化移往的条件，对我国存储器产业的技术突破构成了具备实际意义的推展起到。

本文来源：JN江南体育-www.sxzjdq.com